基于氮化物的半导体发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种基于氮化物的半导体ＬＥＤ，其包括：基板；ｎ型氮化物半导体层，形成在基板上；有源层和ｐ型氮化物半导体层，顺序地形成在ｎ型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在ｐ型氮化物半导体层上；ｐ电极焊盘，形成在透明电极上，该ｐ电极焊盘与ｐ型氮化物半导体层的外缘线隔开５０至２００μｍ；以及ｎ电极焊盘，形成在ｎ型氮化物半导体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于氮化物的半导体发光二极管(LED)及其制造方法。在基于氮化物的半导体LED中，将优先发光的p电极焊盘周围的面积扩大，以提高光提取效率，并且防止局部电流拥挤(local current crowding)，以减小驱动电压。
技术介绍
由于诸如GaN的III-V族氮化物半导体具有良好的物理及化学特性，所以它们被认为是发光装置(例如，发光二极管(LED)或激光二极管(LD))的基本材料。由III-V族氮化物半导体形成的LED或LD被广泛地用在发光装置中，用于获取蓝光或绿光。发光装置应用于多种产品的光源，例如，家用电器、电子显示板、以及照明装置。通常，III-V族氮化物半导体由基于氮化镓(GaN)的材料组成，该材料具有InXAlYGa1-X-YN(0≤X，0≤Y，X+Y≤1)的分子式。下面，将参照图1和图2详细描述传统的基于氮化物的半导体LED。图1是示出传统的基于氮化物的半导体LED的截面图，以及图2是示出传统的基于氮化物的半导体LED的平面图。如图1所示，基于氮化物的半导体LED 100包括用于生长基于氮化物半导体材料的蓝宝石基板101、n型氮化物半导体层102本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于氮化物的半导体ＬＥＤ，其包括：基板；ｎ型氮化物半导体层，形成在所述基板上；有源层和ｐ型氮化物半导体层，顺序地形成在所述ｎ型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在所述ｐ型氮化物半导体层上；ｐ电极焊盘，形成在所述透明电极上，所述ｐ电极焊盘与所述ｐ型氮化物半导体层的外缘线隔开５０μｍ至２００μｍ；以及ｎ电极焊盘，形成在所述ｎ型氮化物半导体层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李赫民，金显炅，金东俊，申贤秀，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]