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本发明公开了一种基于氮化物的半导体ＬＥＤ，其包括：基板；ｎ型氮化物半导体层，形成在基板上；有源层和ｐ型氮化物半导体层，顺序地形成在ｎ型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在ｐ型氮化物半导体层上；ｐ电极焊盘，形成在透明电极上，该ｐ电极焊...
该专利属于三星电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电机株式会社授权不得商用。

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