温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种氮化物系半导体元件，它具有由纤锌矿结构的ｎ型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第１半导体层和在该第１半导体层的背面上形成的ｎ侧电极，所述ｎ侧电极与第１半导体层之间的接触电阻在０．０５Ωｃｍ↑［２］以下。...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。