氮化物基半导体发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本氮化物基半导体发光装置包括：形成在导电衬底（１）上的图案表面（２０ａ）；形成在图案表面（２０ａ）上的多层金属层（４９）；和形成在多层金属层（４９）上的多层半导体层（１９），且其特征在于多层金属层（４９）和多层半导体层（１９）的主表面（４９ｍ，４９ｎ，１９ｍ，１９ｎ）具有小于图案表面（２０ａ）的面积，和多层半导体层（１９）包括ｐ型氮化物基半导体层（１４）、发光层（１３）和ｎ型氮化物基半导体层（１９）。因此，提供了在氮化物基半导体层与导电衬底之间具有优异粘附性的高可靠氮化物基半导体发光装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种诸如半导体激光二极管或发光二极管的，尤其涉及一种氮化物基半导体发光装置的制造方法，包括结合图案化的导电衬底和包括氮化物基半导体层的多层半导体层的步骤，还涉及通过这种制造方法得到的氮化物基半导体发光装置。
技术介绍
传统的氮化物基半导体发光装置例如如图8所示形成，其中在背表面上形成了正电极107的导电衬底100上，形成第一欧姆电极101和第二欧姆电极102。在第二欧姆电极102上依次形成均由氮化物基半导体制成的p型层103、有源层(发光层)104和n型层105，和在n型层105上形成负电极106。建议通过热压结合(例如，见日本专利特开第09-008403号)将第一欧姆电极101和第二欧姆电极102结合在一起，可以制造这种氮化物基半导体发光装置80。按照日本专利特开第09-008403号，欧姆电极形成在导电衬底上，使用例如热压结合的方案，将导电衬底的整个表面与氮化物基半导体层的整个表面结合在一起。然而，由于大面积的导电衬底的整个表面与氮化物基半导体层的整个表面经由欧姆电极和结合金属结合在一起，因此难以施加均匀加热和压力结合。这样，出现氮化物基半导体层的整个表面可能因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物基半导体发光装置，包括：形成在导电衬底上的图案表面；形成在所述图案表面上的多层金属层；和形成在所述多层金属层上的多层半导体层，其中所述多层金属层的主表面和所述多层半导体层的主表面具有小于所述图案表面 的面积，以及所述多层半导体层包括ｐ型氮化物基半导体层、发光层和ｎ型氮化物基半导体层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：幡俊雄，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]