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本发明公开了一种半导体发光元件及其制作方法，本发明是在该第一电极与部分的反射层区域外镀上一阻隔壁，再以电镀方式在前述非阻隔壁的区域上形成一金属柱，利用一准分子激光均匀照射在蓝宝石基底上，促使其脱离该半导体缓冲层，以及以腐蚀法腐蚀该第一导电性...
该专利属于晶元光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶元光电股份有限公司授权不得商用。

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