电介质分离型半导体装置制造方法及图纸

提供一种电介质分离型半导体装置，可防止由于半导体装置的耐压取决于电介质层的厚度而限制第１半导体层的厚度，同时实现了高耐压。为此，漏Ｎ↑［－］区（３）通过埋置氧化膜（２）与半导体衬底（１）贴合，高耐压器件在漂移Ｎ↑［－］区（３）中形成。此外，第１场板（９）接近于漏电极（７）在漂移Ｎ↑［－］区（３）上形成。而且，由埋置Ｎ↑［＋］区构成的第１高浓度硅区（１２），在漏极（７）的正下方位置的构成埋置氧化膜（２）的一部分的多孔氧化膜区（２ｃ）内形成。而且漏极（７）、第１场板（９）、和第１高浓度硅区（１２）电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过埋置氧化膜贴合一对半导体衬底而构成的电介质分离型半导体装置。
技术介绍
迄今，提案了种种电介质分离型半导体装置(例如，参照后述的专利文献1)。象专利文献1中的图52和图53那样，在电介质分离型半导体装置的半导体衬底上，在上表面和下表面上分别设置电介质层和背面电极，在电介质层的上表面上设有N-型半导体层。此外，电介质层对半导体衬底与N-型半导体层进行电介质分离，第1绝缘膜把N-型半导体层划分成预定范围。在由第1绝缘膜划分的预定范围内，在N-型半导体层的上表面上形成电阻值较低的N+型半导体区，且以包围N+型半导体区的方式形成了P+型半导体区。此外，阴极和阳极分别与N+型半导体区和Pt型半导体区连接，阴极与阳极通过第2绝缘膜互相绝缘。此外，象专利文献1中的图54那样，在把阳极和背面电极都设定在0V、并使阴极逐渐增加正电压时，第1耗尽层从在N-型半导体层与P+型半导体区之间的pn结伸长。此时，由于半导体衬底被固定在接地电位、通过电介质层作为场板而起作用，所以除了第1耗尽层以外，第2耗尽层从N-型半导体层与电介质层的边界面朝N-型半导体层的上表面的方向伸长。这样，由于第2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电介质分离型半导体装置，其特征在于包括：半导体衬底；与上述半导体衬底主面的全部区域邻接配置的电介质层；通过上述电介质层贴合在上述半导体衬底上的杂质浓度低的第１导电类型的第１半导体层；在上述第１半导体层上以 圆环状形成，沿横向分离该半导体层而形成元件区的沟分离；高耐压器件，具有在上述元件区的中央部表面上有选择地形成的杂质浓度高的第１导电类型的第２半导体层、和以离开上述第２半导体层并包围该第２半导体层的方式在上述元件区上形成的第２导电类型 的第３半导体层；与上述第２半导体层的表面接合配置的第１电极；与上述第３半导体层的...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：秋山肇，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]