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提供一种电介质分离型半导体装置，可防止由于半导体装置的耐压取决于电介质层的厚度而限制第１半导体层的厚度，同时实现了高耐压。为此，漏Ｎ↑［－］区（３）通过埋置氧化膜（２）与半导体衬底（１）贴合，高耐压器件在漂移Ｎ↑［－］区（３）中形成。此外，...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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