【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种非易失性可编程半导体存储器，且更具体地涉及一种通过击穿晶体管栅氧化物来编程的单晶体管存储器单元，和结合了这种单元的存储器阵列。
技术介绍
非易失性存储器在移除电源时仍能保持存储的数据，其在许多不同类型的电子器件中是非常希望的。一种通常可获得类型的非易失性存储器是可编程只读存储器(“PROM”)，其利用诸如熔丝、反熔丝之类的字线/位线交叉点元件，和诸如浮栅雪崩注入金属氧化物半导体(“FAMOS”)晶体管的俘获电荷器件来存储逻辑信息。在Reisinger等人的美国专利(专利号6,215,140)中公开了利用电容中二氧化硅层的击穿来存储数字数据的一种PROM单元的例子。Reisinger等人所公开的基本PROM使用氧化物电容和结二极管的一系列组合作为交叉点元件(术语“交叉点”指位线和字线的交叉点)。完好的电容代表逻辑值0，而电击穿电容代表逻辑值1。调整二氧化硅层的厚度来获得所需要的性能规范。二氧化硅的击穿电荷约为10C/cm2(库伦/cm2)。如果给厚度为10nm的电容电介质加上10伏的电压(获得的场强为10mV/cm)，就会有约1mA/cm2的电...
【技术保护点】
一种可编程存储器单元，形成于ｐ型半导体衬底中，并用于具有列位线和行字线的存储器阵列中，该存储器单元包括：晶体管，具有ｐ＋掺杂的栅极、在该栅极和所述衬底上方之间的栅电介质；以及其中晶体管的第二ｐ＋掺杂的半导体区连接到所述的行字 线中之一，且其中所述的行字线通过在所述半导体衬底的表面附近的ｎ型区形成。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。