温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种由位于列位线和行字线交叉点处的晶体管组成的可编程存储器单元。该晶体管具有由列位线形成的栅极和连接至行字线的源极。该存储器单元通过在列位线和行字线之间施加电压电位而编程，以产生被编程的ｐ＋区，从而在晶体管栅极下面的衬底中形成ｐ－ｎ二...
该专利属于基洛帕斯技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过基洛帕斯技术公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。