具有防光冲击保护的电子存储部件制造技术

一种电子存储部件（１００或１００’），包括至少一个存储单元矩阵（１０），其嵌入进和／或进入至少一个掺杂的接收衬底（２０）中，其特征在于：－接收衬底（２０）被与接收衬底（２０）相反掺杂的至少一个顶／保护衬底（３０）至少部分地和／或在其 远离存储单元矩阵（１０）的至少其中一个表面上所覆盖和／或围绕，以及－所述衬底（２０或３０）中的至少一个，例如接收衬底（２０）和／或尤其是顶／保护衬底（３０），与至少一个电路装置（分别是２４或３４）接触（１２ａ或１２ｂ）或连接（３２） ，用于检测由光入射产生的电荷载流子引起的电压或电流。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及电子部件
，尤其涉及微电子部件。特别地，本专利技术涉及电子存储部件，包括至少一个嵌入和/或进入至少一个掺杂的接收衬底中的存储单元矩阵。
技术介绍
电子存储部件，例如可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)或快闪存储器，允许以“1”和“0”的形式读取和/或写入数字数据，“1”和“0”经常被称作写或擦除状态(位)。诸如强光源照射(所谓的光冲击)的外部影响可能导致这些数据的不正确读取。这种数据的不正确读取可以使用例如纠错码计数，这样信息被过量地存储在该物理媒质上，并且一旦读入了数据，算法就精确检查这些数据的错误。通常使用的算法可以在例如8个逻辑位(对应于多于8个物理位)的存储块中检测和/或校正一个或多个不正确的位(已知的例子是汉明码)。由于效率和成本的要求，在纠错码的情况下，理论上用于错误检测的算法不能检测所有可能的错误，但是总是能够限于检测和可能校正每个存储块中相对少的位。在安全至关重要的应用中，尤其如果某些特征错误模式在位中发生得比其它错误模式更为频繁、或者可以通过外部操作故意产生，这往往是不够的。因此，例如，当编码进入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：M·瓦纳，J·加贝，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：