电子存储部件或存储模块及其操作方法技术

一种电子存储器部件或存储器模块（１００），具有至少一个存储单元区（１０），其中的代表正常数据的物理状态（Ｐ）通过至少一个描述例如至少一个汉明码的至少一个纠错码的映射函数（Ａ）被映射，特征在于该纠错码中的至少一个另外的代表至少一个例外或特殊状态（Ｌ，Ｓ）的物理状态。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及电子部件、特别是微电子部件的
特别地，本专利技术涉及一种电子存储部件或存储模块，其具有至少一个存储单元区，其中代表正规数据的物理状态由至少一个描述至少一个纠错码的映射函数—例如至少一个汉明码(Hamming code)-映射。特别地，本专利技术进一步涉及一种操作至少一个上述类型的电子存储器部件或存储器模块的方法。
技术介绍
电子存储器部件，诸如可擦可编程只读存储器(EPROM)电可擦可编程只读存储器(EEPROM)闪速存储器只读存储器(ROM)或随机存取存储器(RAM)允许程序设置以及写和/或读“1”和“0”形式的数字数据，“1”和“0”形式的数字数据经常被分别称为被写和被擦状态(位)。这些数据有时可能由于磨损(wear)、外部影响和其它原因而被错读。数据的这种错读，例如可以通过使用纠错码来消除，其中，信息被冗余地存储在物理介质上，当所述数据被读入时，使用一个算法搜索数据中的错误。通常，使用能检测和/或纠正一个例如8个逻辑位的存储块(memoryblock)(于是其对应于多于8个物理位)的一个或多个错误位。一个存储块的物理存储的位P(＝物理表示)与该存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：S·奥特通，M·瓦格纳，D·米勒，W·布尔，J·C·H·加贝，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：