配置成提高紧邻接合部件处光的吸收的安装底层制造技术

技术编号:10841996 阅读:144 留言:0更新日期:2014-12-31 12:56
本申请公开了配置成提高紧邻接合部件处光的吸收的安装底层。一种装置,包括具有安装表面和与该安装表面相对的顶部表面的安装底。滑动件具有与该安装底的安装表面相连接的接合部件,以及两层或更多层设置在该安装底的安装表面与该接合部件之间。该两层或更多层被配置成提高紧邻该接合部件处光的光吸收。光从照射该安装底的顶部表面的电磁能量源发出。

【技术实现步骤摘要】
配置成提高紧邻接合部件处光的吸收的安装底层
技术实现思路
本公开涉及可用于利用电磁能量源连接光学元件的装置和方法。在一个方面,该装置包括安装底(submount),该安装底具有可安装表面和与该安装表面相对的顶部表面。具有接合部件的滑动件与该安装底的安装表面相连接。所提供的装置包括设置在该安装底的安装表面与该接合部件之间的两层或更多层。该两层或更多层被配置成提高紧邻该接合部件处光的吸收,该光源自照射该安装底的顶部表面的电磁能量源。 将激光二极管安装底连接到滑动件的方法包括提供一装置,其包括具有安装表面和与该安装表面相对的顶部表面的安装底,滑动件具有与该安装底的安装表面相连接的接合部件,以及设置在该安装底的安装表面与该接合部件之间的两层或更多层,这些层被配置成提高紧邻该接合部件处电磁能的吸收。电磁能源可源自光源,该光源可包括照射该安装底的顶部表面的光纤激光器。该安装底进一步包括激光二极管,以及该滑动件进一步包括光波导。所提供的方法还包括定位该安装底和该滑动件,从而使得从该安装底上的激光二极管发出的光光学地耦合到该滑动件中的波导,导引来自该光纤激光器的电磁辐射穿过该安装底的顶部表面到达被配置成提高紧邻该滑动件的接合部件处光的吸收的该两层或更多层,以及将该两层或更多层中的至少一层接合到该滑动件的接合部件。 在本公开中: “损耗材料”至少指的是能够消耗穿过其的电磁能的材料;以及 “光纤激光器”至少指的是被配置成将来自激光二极管的输出光引导到另一光学兀件的光纤。 所提供的装置和方法能够降低该安装底或滑动件中的光纤接合光吸收,而这种光吸收对于将连接到该安装底的激光二极管对准到用于HAMR记录的滑动件中的光波导是一个问题。所提供的装置和方法的使用避免了该安装底、该滑动件或者两者的大量热聚集的加热,这种加热能够使该接合层的重新固化缓慢并增加了重新固化过程中相对移动的可能性,这是由于所涉及的材料的不同热膨胀而引起的。 上面的内容并不意于描述本公开的每一公开实施例或每一实现方式。下面的附图和详细描述更加具体地描述了示意性的实施例。 【附图说明】 参考附图来进行详细的描述,其中相同的参考标记表示相同的元件,以及其中: 图1是热辅助、磁记录、硬驱动滑动器组件的实施例的立体视图。 图2是示出了所提供的装置的实施例的结构图。 图3A和3B是具有设置在安装底的安装表面与接合部件之间的两层或更多层的所提供装置的所提供安装底的两个实施例的侧部结构视图。 图4A和4B是作为分别在厚度为50nm和10nm的所提供安装底的安装表面上的所提供层的实施例的折射系数与吸收系数的函数的反射率的模拟曲线。 图5是采用图3B的三层结构在1.2 μ m光波长情况下作为入射角函数的反射率的模拟曲线。 图6是采用图3B的三层结构在两个入射角下作为光波长函数的反射率的模拟曲线。 图7A-C是具有在正介电常数的无损或有损介电材料中以及负介电常数的金属中传播的表面等离子体的安装底的数个实施例的侧部结构视图。 图8A和8B是分别作为入射角和波长的函数的图7A所示实施例的反射率曲线。 图9是示出了用于将可连接元件接合到基部元件的方法的实施例的示意图。 图10是所提供方法的实施例的流程图。 这些附图并不是必须成比例的。附图中使用的相同数字表示相同的元件。然而,应当理解的是,在特定附图中用于表示某一元件的数字的使用并不意于限制在其它附图中具有相同数字的元件。 【具体实施方式】 在下面的描述中,参考给出的附图进行描述,这些附图形成说明书的一部分,以及其中它们通过数个【具体实施方式】的示例方式而给出。应当理解的是,其它的实施方式是可预料的,并且可在不脱离本专利技术范围或精神的前提下而得到。因此,下面的详细描述不应被视为限定的含义。 除了明确指明之外,在说明书和权利要求书中使用的表示特征尺寸、数量和物理性能的所有数字应当被理解为在所有情况下均是可被术语“大约”而改变的。相应地,除了表明是相反的,之前描述和相应权利要求中给出的数字参数仅是大约的值,它们可基于本领域技术人员使用这里公开的教导而想要得到的期望性能而变化。由端点限定范围的数值的使用包括该范围内的所有数值(例如,I到5包括1,1.5,2,2.75,3,3.80,4和5)以及这个范围内的任一范围。 本公开一般地涉及用于数据存储的磁存储设备。下面,这里描述的装置和方法能够便于很小尺寸光学器件的组装。例如,这些装置和方法可用于组装热辅助磁记录(HAMR)设备,它们也被描述为热辅助磁记录(TAMR)以及能量辅助磁记录(EAMR)。一般地,当其进行记录时,HAMR设备使用激光二极管或其它能量源来加热磁性介质。 HAMR数据存储介质具有高磁性矫顽力,其能够克服超顺磁效应(例如磁性方向上的热感应的、随机的变化),这种效应目前限制了传统硬驱动介质的面数据密度。在HAMR设备中,当通过换能器(例如磁性写入极)被写入时,磁性介质的一小部分,或者“热点”被局部地加热到其居里温度,从而使得该介质的磁性方向在该热点处发生改变。 HAMR读取/写入头,有时称作为滑动件,包括与现有的硬驱动上那些类似的磁性读取和写入换能器。例如,数据可通过磁阻传感器被读取,该传感器检测移动介质的磁性变化。数据可通过写入线圈被写入到磁性介质,该线圈磁性地耦合到写入极。AMR滑动件还可包括能量源,如激光二极管,以及穿过该滑动件的光传输路径,其将能量传输到该介质的表面。在一些结构中,激光二极管可以是连接到该滑动件的分开制造的器件。 在连接工艺中,希望在组装过程中精确地将激光二极管与滑动件对准,从而最小化光传输路径中的光传输损耗。该对准是有一定挑战性的,因为除其他方面原因,激光二极管和滑动件的尺寸很小,它们的尺寸在500 μ m量级上。 现在参考附图1,一透视图示出了根据一个示例实施例的HAMR滑动件组件100。在这个例子中,激光二极管102安装到安装底104,安装底104耦合到滑动件本体108的顶部表面106。这个例子中的激光二极管102为边缘发光二极管,其在负的I方向上发出光。安装底104能将激光器的输出定位到希望的方向上,从而使得其能够直接地耦合到滑动件本体108中的光波导114。光波导114引导激光器输出能量,从而使得其从滑动件本体108的面对介质的、空气轴承表面110发出,从而加热在滑动件组件100之下移动的最近的磁性介质(未示出)。 面对介质的表面110可被设置为空气轴承表面(ABS),其维持滑动件本体108与记录介质之间的气垫。滑动件本体108的换能器区域112至少包括产生磁场的写入换能器和从激光二极管102接收能量并将该能量导引到记录介质的光换能器。光换能器可包括经由表面等离子体谐振导引能量的近场换能器(NFT)。光波导114包括光学元件(例如波导、反射镜、耦合器、解耦器等),它们集成在滑动件本体108中并便于将能量从激光器102传输到换能器区域112。 在示出的滑动件组件100中,激光二极管102、安装底104和滑动件本体108采用现有技术中已知的集成电路/光学制造技术分开地形成。例如,这些部件可通过在晶片衬底上沉积材料层、采用光刻蚀、化学/机械抛光在层上形成结构、以及将晶片分隔成单个元本文档来自技高网...
配置成提高紧邻接合部件处光的吸收的安装底层

【技术保护点】
一种装置,包括:安装底,具有安装表面和与所述安装表面相对的顶部表面;滑动件,具有与所述安装底的安装表面相连接的接合部件;以及设置在所述安装底与所述接合部件之间的两层或更多层,这些层被配置成提高紧邻所述接合部件处光的吸收,所述光从照射所述安装底的顶部表面的电磁能量源发出。

【技术特征摘要】
2013.06.28 US 13/930,3501.一种装置,包括: 安装底,具有安装表面和与所述安装表面相对的顶部表面; 滑动件,具有与所述安装底的安装表面相连接的接合部件;以及 设置在所述安装底与所述接合部件之间的两层或更多层,这些层被配置成提高紧邻所述接合部件处光的吸收,所述光从照射所述安装底的顶部表面的电磁能量源发出。2.根据权利要求1的装置,其中所述两层或更多层设置在所述安装底的安装表面上。3.根据权利要求1的装置,其中所述安装底包括硅。4.根据权利要求1的装置,进一步包括安装到所述安装底的侧部表面并光学地耦合到所述滑动件上的波导的激光器。5.根据权利要求1的装置,其中所述接合部件包括银锡SnAg焊料层。6.根据权利要求1的装置,其中所述两层或更多层包括紧邻所述接合部件的金属反射层。7.根据权利要求6的装置,其中所述金属反射层包括钼、金、或两种的组合。8.根据权利要求1的装置,其中所述两层或更多层包括至少一种半导体和至少一种有损耗材料。9.根据权利要求1的装置,其中所述两层或更多层包括复合物,所述复合物包括至少一种半导体和至少一种有损耗材料。10.根据权利要求9的装置,其中所述至少一种半导体包括锗,以及所述至少一种有损耗材料包括钛。11.根据权利要求1的装置,其中所述两层或更多层包括多层结构,所述多层结构包括由至少两种有损耗材料与一种半导体形成的交替层。12.根据权利要求1的装置,其中所述两层或更多层包括金、铝、钼、钨、或铜。13.—种方法,包括: 提供安装底,所述安装底具有安装表面和与所述安装表面相对的顶部表面; 提供具有接合部...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭初兵M·A·西格勒
申请(专利权)人:希捷科技有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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