【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】,尤其是智能卡芯片的制作方法
本专利技术涉及一种,尤其是智能卡芯片,其中在半导体材料上不仅设置了通过芯片设计而拟想的有源结构,如晶体管、电阻器、电容器等,而且设置了在剩余的残留区中产生的、另外的电学上非有源的传导填充结构(瓦片(tile))。对于,诸如,举例而言智能卡芯片,不仅需要借助传感器线路和软件例程进行积极的保护,而且需要保护以不受机械和光损害。在被构造的每一级上,为此而需要的半导体工艺要求尽可能一致的表面轮廓和至少由每一级上的元件提供的最小覆盖量。给定这一点,则因此已知不仅要生成由芯片设计所拟想的电性有源结构,而且在剩余的残留区中还要生成另外的填充结构(瓦片),该填充结构不是电性有源的且由此也没有彼此进行电连接。在这种情况下,一些由芯片设计所拟想的电性有源结构(在该结构中例如产生电路)被引入到可由硅构成的晶片中作为传导结构,且它们中的一些以由诸如氧化物、多晶硅、金属迹线等等形成的附加层的形式制造在晶片上。填充结构(瓦片)尤其由金属构成,这些填充结构附加到由芯片设计所拟想的电性有源结构上且在剩余的区域中生成,而且它们不是电性有源的,由此也没有彼此进行电连 ...
【技术保护点】
一种对安全性敏感的半导体产品,尤其是智能卡芯片,其中不仅在例如可由硅构成的晶片(1)中和晶片(1)上以电路功能的形式制造由芯片设计所拟想的电性有源结构,而且还制造彼此绝缘的、被生成作为填充结构的附加导电部分(42、61、62)(瓦片),其特征在于,所生成的填充结构的部分(42、61、62)以这样的方式与触点(51)结合,即:生成附加的电路功能以及为电路制造的电路结构(2、3、4、5、6)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:E布勒特施奈德,
申请(专利权)人:NXP股份有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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