【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种保护结构,尤其涉及一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构。
技术介绍
终端结构是功率器件和功率集成电路中最核心的技术之一,终端结构的优劣直接影响到功率器件和功率集成电路最高工作电压,漏电流大小,以及可靠性和稳定性。图5给出了传统的功率器件和功率集成电路终端结构。该结构主要包括以下几个部分(1)重掺杂P型阱,(2)多晶场板结构,(3)N+型截至环。在实际应用中,通过在芯片的四周制作了若干个重掺杂P型阱,并调节P型阱的宽度和间距,和辅助P型阱上的场板结构,来实现耐压和提高可靠性的目的。传统结构在功率器件中得到普遍应用,然而有些应用场合,传统结构会受到成本的限制,因为传统结构一般面积比较大。本专利技术的耗尽型终端结构,使用轻掺杂P型阱替代传统结构的重掺杂P型阱,能够有效减小终端结构面积30%以上,并且性能上还有提高,因此本专利技术的耗尽型终端结构是功率器件和功率集成电路的一种较好选择。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够降低制作成本和制造难度并能提高保护效果的耗尽型终端保护结构,本专利技术有助于提高耐压效果和可靠性。本专利技术采用如下技术方案一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构,包括重掺杂N型衬底,在重掺杂N型衬底上设有轻掺杂N型外延,在轻掺杂N型外延上设有重掺杂N型截止环及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体,在轻掺杂N型外延的重掺杂N型截止环及原胞腔体以外的区域上方设有场氧化层,在场氧化层上方设有多晶场板,在场氧化层、重掺杂N型截止环及多晶场板上覆有介质层,在重掺杂N型截止环及多晶场板上分别连接有金属 ...
【技术保护点】
一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构,包括:重掺杂N型衬底(1),在重掺杂N型衬底(1)上设有轻掺杂N型外延(2),在轻掺杂N型外延(2)上设有重掺杂N型截止环(3)及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体(5),在轻掺杂N型外延(2)的重掺杂N型截止环(3)及原胞腔体(5)以外的区域上方设有场氧化层(6),在场氧化层(6)上方设有多晶场板(7),在场氧化层(6)、重掺杂N型截止环(3)及多晶场板(7)上覆有介质层(8),在重掺杂N型截止环(3)及多晶场板(7)上分别连接有金属引线(9、10),其特征在于在轻掺杂N型外延(2)上设有接零电位的轻掺杂P型阱(4),该轻掺杂P型阱(4)位于场氧化层(6)的下面且位于重掺杂N型截止环(3)与原胞腔体(5)之间。
【技术特征摘要】
1.一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构,包括重掺杂N型衬底(1),在重掺杂N型衬底(1)上设有轻掺杂N型外延(2),在轻掺杂N型外延(2)上设有重掺杂N型截止环(3)及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体(5),在轻掺杂N型外延(2)的重掺杂N型截止环(3)及原胞腔体(5)以外的区域上方设有场氧化层(6),在场氧化层(6)上方设有多晶场板(7),在场氧化层(6)、...
【专利技术属性】
技术研发人员:易扬波,李海松,
申请(专利权)人:无锡博创微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。