【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂Ｎ型衬底（１），在重掺杂Ｎ型衬底（１）上设有轻掺杂Ｎ型外延（２），在轻掺杂Ｎ型外延（２）上设有重掺杂Ｎ型截止环（３）及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体（５），在轻掺杂Ｎ型外延（２）的重掺杂Ｎ型截止环（３）及原胞腔体（５）以外的区域上方设有场氧化层（６），在场氧化层（６）上方设有多晶场板（７），在场氧化层（６）、重掺杂Ｎ型截止环（３）及多晶场板（７）上覆有介质层（８），在重掺杂Ｎ型截止环（３）及多晶场板（７）上分别连接有金属引线（９、１０），其特征在于在轻掺杂Ｎ型外延（２）上设有接零电位的轻掺杂Ｐ型阱（４），该轻掺杂Ｐ型阱（４）位于场氧化层（６）的下面且位于重掺杂Ｎ型截止环（３）与原胞腔体（５）之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：易扬波，李海松，
申请(专利权)人：无锡博创微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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