【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种将增强型和耗尽型两种垂直双扩散金属氧化物场效应管集成在一个 芯片内的集成场效应管，适用于开关电源系统。技术背景金属氧化物场效应管高压器件具有开关特性好、功耗小等优点，更为重要的是金属氧 化物半导体型高压器件易于兼容标准低压金属氧化物半导体工艺，降低芯片的生产成本。 金属氧化物半导体型高压器件向着两个方向发展横向金属氧化物半导体型高压器件和垂 直导电金属氧化物半导体型高压器件。其中垂直双扩散金属氧化物场效应管将漏区、漂移 区和沟道区从硅片表面分别转移到硅片的底部和体内，与横向金属氧化物半导体型高压器 件相比，单个管芯占用的硅片面积大大减小，从而在相同的版图面积上可以得到大的工作 电流。现今的开关电源应用场合中，增强型和耗尽型的垂直双扩散金属氧化物场效应管在 同一个系统中有各自的关键作用。所以，将增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应 管集成在单块芯片上具有非常好的应用前景。然而，增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管一旦集成到一起，很容易发生穿通现象，因此两者之间的隔离就是一个必须要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是...
【技术保护点】
一种集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，包括重掺杂Ｎ型衬底（１），在Ｎ型衬底上（１）设置有Ｎ型外延（２），在Ｎ型外延（２）上设置有增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管（６）和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管（７），其特征在于在所述的增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管（６）和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管（７）之间设有一隔离结构，该隔离结构包括浮置Ｐ型阱（３）、二氧化硅介质层（４）以及多晶硅场板（５），所述的浮置Ｐ型阱（３）设置在Ｎ型外延（２）上，所述的二氧化硅介质层（４）设置在浮置Ｐ型阱（３）的上端，所述的多晶硅场板（５）设置在二氧化硅介质层（４）中。
【技术特征摘要】
1、一种集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，包括重掺杂N型衬底(1)，在N型衬底上(1)设置有N型外延(2)，在N型外延(2)上设置有增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管(6)和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管(7)，其特征在于在所述的增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管(6)和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管(7)之间设有一隔离结构，该隔离结构包括浮置P型阱(3)、二氧化硅介质层(4)以及多晶硅场板(5)，所述的浮置P型阱(3)设置在N型外延(2)...
【专利技术属性】
技术研发人员：易扬波，刘侠，李海松，
申请(专利权)人：无锡博创微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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