用于半导体晶片的碱性蚀刻溶液和碱性蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种碱性蚀刻溶液，其即使在传统上广泛使用的相对低的碱性浓度下仍能够提高表面粗糙度、一种使用所述溶液的碱性蚀刻方法、一种制造硅晶片的方法、和一种通过所述方法获得的表面粗糙度提高的硅晶片。根据本发明专利技术的碱性蚀刻溶液是包含溴酸盐的腐蚀性碱性水溶液，或包含溴酸盐和硝酸盐的腐蚀性碱性水溶液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体-晶片制造
，具体地说，涉及用于硅 晶片的新的碱性蚀刻溶液、利用所述溶液的碱性蚀刻方法、使用所述 溶液制造硅晶片的方法、和从所述方法获得的硅晶片。
技术介绍
当硅晶片用于集成电路例如IC和LSI，分立半导体元件例如晶 体管和二极管时，由Czochralski方法(CZ方法)或浮区法(FZ方法)获 得的单晶通过使用内径刀片(inner-diameter-blade)刀具或用于斜切边 缘线的线锯切断，在进行磨光工艺(lapping)以用自由磨料颗粒提高主 表面上的平整度后，进行湿法蚀刻以除去通过上述方法施加到晶片的 工艺变形，然后进行镜面抛光。这种湿法蚀刻包括使用混合酸例如氢 氟酸、硝酸和乙酸的酸性蚀刻和使用碱例如氢氧化钠或氢氧化钾的碱 性蚀刻。尽管酸性蚀刻具有能够控制蚀刻速率和蚀刻后晶片的表面状态 的优点，但是其具有大的蚀刻速率从而导致通过磨光工艺提高的晶片 的平整度退化的缺点。另一方面，尽管碱性蚀刻的蚀刻速率低，但是碱性蚀刻具有能够 保持用磨光工艺提高的晶片的平整度的优点，因此获得蚀刻后具有优 异平整度的晶片。近年来，为了实现更精细的微构造，对于半导体晶 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碱性蚀刻溶液，其中碱性水溶液包含溴酸盐。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-7 243350/20061.一种碱性蚀刻溶液，其中碱性水溶液包含溴酸盐。2. —种碱性蚀刻溶液，其中碱性水溶液包含溴酸盐和硝酸盐。3. 如权利要求1或2所述的碱性蚀刻溶液，其中，所述溴酸盐 是溴酸钠。4. 如权利要求2所述的碱性蚀刻溶液，其中，所述硝酸盐是硝 酸钠。5. —种使用碱性溶液的硅晶片蚀刻方法，其中，所述碱性溶液 是包含溴酸盐的腐蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村茂树，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]