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耗尽型终端保护结构制造技术
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下载耗尽型终端保护结构的技术资料
文档序号:3239665
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一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构,包括:重掺杂N型衬底,在重掺杂N型衬底上设有轻掺杂N型外延,在轻掺杂N型外延上设有重掺杂N型截止环及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体,在轻掺杂N型外延的重掺杂N型截止环及原胞腔...
该专利属于无锡博创微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡博创微电子有限公司授权不得商用。
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