【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体功率器件技术，更具体地涉及用于电荷平衡 功率器件的外围i殳计。
技术介绍
垂直半导体功率器件具有电极布置在两个相对平面上的结构。 当接通垂直功率器件时，漂移电流在器件中垂直地流动。当断开垂 直功率器件时，由于施加至该器件的反偏压，在器件中形成沿水平 方向延伸的耗尽区。为了获得高的击穿电压，布置在电极之间的漂 移层由具有高电阻系凄t的材料形成，并且该漂移层的厚度增加。然而，这导致器件的接通电阻Rds。n的增加，这又减小了导电率以及器 件转换速度，从而降低了器件的性能。为了解决这个问题，提出了具有漂移层的电荷平衡功率器件，该漂移层包括以交替方式布置的垂直延伸的n区(n柱)和p区(p 柱)。图1A是这种器件100的布局图。器件100包括被非活性周界 区环绕的活性区域110，该非活性周界区包括p环120和外部终止 区130。周界p环120是具有圓角的矩形。依据该i殳计，终止区130可以包括类似形状交替的p环和n环。活性区域110包括以条带形 式垂直延伸且交^,布置的p柱110P和n柱110N,并且这些柱沿着 顶部和底部在周界环120处全冬止。图1B中...
【技术保护点】
一种电荷平衡半导体功率器件，包括： 活性区域，包括以交替方式布置的第一导电型柱的条带和第二导电型柱的条带，所述第一导电型柱的条带和所述第二导电型柱的条带沿所述活性区域的长度延伸；以及 环绕所述活性区域的非活性周界区，包括环绕所述活性区域的至少一个第一导电型的环， 其中，紧邻所述活性区域的边缘延伸的至少一个所述第一导电型柱的条带的一端基本上在直线处终止，每一个其余的所述第一导电型柱的条带的一端也均在所述直线处终止，所述直线垂直于所述活性区域的长度延伸，所述第一导电型柱的条带和所述第二导电型柱的条带沿着所述活性区域的长度延伸。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴赞毫，约瑟夫安德鲁叶季纳科，克里斯多佛博古斯洛科库，詹森希格斯，李在吉，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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