N型碳纳米管场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种具有ｎ型碳纳米管的场效应管（ＣＮＴ　　ＦＥＴ）以及制备该ｎ型ＣＮＴ　　ＦＥＴ的方法。该ｎ型ＣＮＴ　　ＦＥＴ包括：衬底；形成衬底上并彼此分隔开的电极；形成于衬底上并电连接到电极的碳纳米管；形成于碳纳米管上的栅极氧化层；以及形成于栅极氧化层上的栅极电极，其中栅极氧化层含有电子施主原子，该电子施主原子向碳纳米管贡献电子，使得碳纳米管是由电子施主原子ｎ掺杂的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有n掺杂的碳纳米管(CNT)的场效应管(FET)以及制备该n型CNT FET的方法，更特别地，本专利技术涉及一种通过在CNT层上吸附电子施主原子来制备的具有n掺杂的CNT的n型CNT FET以及制备该n型CNT FET的方法。
技术介绍
碳纳米管(CNT)具有优异的机械和化学性质，并且具有长达1微米的长度以及从几纳米到几十纳米的直径。CNT具有优异的导电性，可以应用于电子器件。对于CNT在各种器件中的使用已经进行了大量的研究，现在它们可以应用于电场反射器件、光通信领域中的光开关、生物器件等。制造CNT的方法在本领域中是公知的。示例包括电弧放电、脉冲激光汽化、化学气相沉积、丝网印刷、旋涂。为了将CNT用于比如互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管的半导体器件中，需要p型以及n型MOS晶体管。通常，很容易对CNT进行空穴掺杂(p型掺杂)。美国专利申请第2003-122,133号描述了一种使用氧或钾离子作为掺杂剂来制备n型纳米管的方法。但是，难于将氧分子分解为氧原子，并且难于操作钾离子。为了克服这些问题，美国专利第6,723,624建议了另外一种n型掺杂方法。在该方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ｎ型碳纳米管场效应晶体管，包括：衬底；电极，形成于所述衬底上并彼此分隔开；碳纳米管，形成于所述衬底上并电连接到所述电极；栅极氧化层，形成于所述碳纳米管上；以及栅极电极，形成于所述栅极氧化层上； 其中，所述栅极氧化层含有电子施主原子，所述电子施主原子向所述碳纳米管贡献电子，使得所述碳纳米管是由所述电子施主原子ｎ掺杂的。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：裵恩珠，闵约赛，朴玩濬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]