【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶体管，更具体地说，涉及侧壁半导体晶体管。
技术介绍
在典型的半导体晶体管中，在晶体管的栅极接触区域和源极/漏极接触区域之间存在电容。希望减小这些电容。因此，需要一种新的晶体管结构，其中降低在晶体管的栅极接触区域和源极/漏极接触区域之间的电容。同样也需要用于制造这种新的晶体管结构的方法。
技术实现思路
本专利技术提供了一种半导体结构，包括(a)衬底；以及(b)在所述衬底上的半导体区域，栅极介质区域，和栅极区域，其中所述栅极介质区域夹在所述半导体区域和所述栅极区域之间，其中所述半导体区域通过所述栅极介质区域与所述栅极区域电绝缘，其中所述半导体区域包括沟道区域和第一和第二源极/漏极区域，其中所述沟道区域夹在所述第一和第二源极/漏极区域之间，其中所述第一和第二源极/漏极区域与所述栅极区域对准，其中所述沟道区域和所述栅极介质区域共享基本上垂直于所述衬底的上表面的界面表面，以及其中所述半导体区域和所述栅极介质区域不共享基本上平行于所述衬底的上表面的任何界面表面。本专利技术还提供了一种用于制造半导体结构的方法，包括以下步骤(a)提供衬底，半导体区域，栅极介...
【技术保护点】
一种半导体结构，包括：（ａ）衬底；以及（ｂ）在所述衬底上的半导体区域，栅极介质区域，和栅极区域，其中所述栅极介质区域夹在所述半导体区域和所述栅极区域之间，其中所述半导体区域通过所述栅极介质区域与所述栅极区域电 绝缘，其中所述半导体区域包括沟道区域和第一和第二源极／漏极区域，其中所述沟道区域夹在所述第一和第二源极／漏极区域之间，其中所述第一和第二源极／漏极区域与所述栅极区域对准，其中所述沟道区域和所述栅极介质区域共享 基本上垂直于所述衬底的上表面的界面表...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，LA克莱文格，OH多库马奇，KA库马尔，CJ拉登斯，D奇丹巴拉奥，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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