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本发明提供了一种具有ｎ型碳纳米管的场效应管（ＣＮＴ　　ＦＥＴ）以及制备该ｎ型ＣＮＴ　　ＦＥＴ的方法。该ｎ型ＣＮＴ　　ＦＥＴ包括：衬底；形成衬底上并彼此分隔开的电极；形成于衬底上并电连接到电极的碳纳米管；形成于碳纳米管上的栅极氧化层；以及形成...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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