半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底中形成的槽、在槽的内壁上形成的栅极绝缘膜、在槽中形成的栅电极、以及沿着与半导体衬底的衬底表面实质上正交的方向排列的源极／漏极区域和ＬＤＤ区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，并且具体地涉及一种用于制造具有沟槽栅极类型晶体管的半导体器件的方法。
技术介绍
近来，由于缩短存储单元阵列中存取晶体管(后文称作存储单元晶体管)的栅极长度的必要性，已经对DRAM(动态随机存储存储器)存储单元进行小型化。然而，当栅极长度缩短时，晶体管中的短沟道效应变得严重起来，并且出现由于亚阈值电流增加而导致晶体管阈值电压(Vt)降低的缺点。当增加衬底中的杂质浓度以最小化Vt的降低时，DRAM中刷新特性的恶化变为严重的缺点，因为结泄漏增加。已经着重提出所谓的沟槽栅极类型晶体管(也称作凹沟道晶体管)作为克服这些缺点的手段，其中将栅电极嵌入到硅衬底上形成的槽中(见日本待审专利申请No.2005-39270和2004-95962)。使用沟槽栅极类型晶体管，可以在物理上充分地保持有效沟道长度(栅极长度)，并且可以产生最小可工作尺度为90nm或更小的精密DRAM。图16是示出了传统沟槽栅极类型晶体管的结构示例的示意截面图。在图16所示的存储单元晶体管中，在具有STI(浅沟槽绝缘)或其他元件分隔区域202的硅衬底201中形成槽(栅极沟槽)203，在此栅极沟槽203的内壁上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底中形成的槽；在槽的内壁上形成的栅极绝缘膜；栅电极，具有在槽中的栅极绝缘膜上形成的第一部分以及从半导体衬底的表面突出的第二部分；侧壁绝缘膜，用于覆盖栅电极的 第二部分的侧面；外延层，形成在半导体衬底上，与侧壁绝缘膜相邻；以及源极／漏极区域，形成在外延层的至少一部分中。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎靖，
申请(专利权)人：尔必达存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]