【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺，更确切地说，本专利技术涉及LDMOS晶体管工艺。
技术介绍
自驱动LDMOS晶体管技术已陆续被提出，其中一种技术包括以额外的离子注入将LDMOS晶体管的启动阈电压调节到较低电压电位。然而，此技术的劣势在于较高的泄漏电流、降低的击穿电压和额外的掩模工艺成本。另一技术利用漏极到栅极的寄生电容器(parasitic drain-to-gate capacitor)来耦合栅极电压电位，以制得自驱动LDMOS晶体管。然而，漏极到栅极的寄生电容器的电容因应串联连接的耗尽电容器而变化，因此不能将栅极电压电位准确地控制在所需的电压电位。另一技术则利用分压器，其由位于LDMOS晶体管的栅极与漏极之间的高阻值多晶电阻器(high resistance poly resistor)和从栅极连接到衬底的电阻器所组成，以提供用于导通LDMOS晶体管的栅极电压电位。然而，此专利技术的劣势包括多晶电阻器的高阻值变化、额外的掩模工艺成本和较大的管芯占用空间。
技术实现思路
本专利技术提出一种自驱动LDMOS晶体管，其利用在漏极端子与辅助区域之间的寄生电阻器。寄生电阻器形...
【技术保护点】
一种电压控制晶体管的结构，包含电压控制端子、源极端子和漏极端子；其中所述电压控制端子处的电压电位对应所述漏极端子处的电压变化而变化；当所述电压控制晶体管的夹断情况发生时，所述电压控制端子处的电压电位将被控制以维持在预定电压电位；当所述电压控制端子处的电压电位超过所述预定电压电位时，所述电压控制端子处的电压电位将不再随着所述漏极端子处的漏极电压电位变化而变化；其中不连续的极性分布结构形成于所述漏极端子与所述电压控制端子之间；所述电压控制端子连接到与所述漏极端子具有相同掺杂极性的辅助区域；其中所述漏极电压电位控制两个耗尽边界；当所述两个耗尽边界夹断时，所述电压控制端子处的电压电...
【技术特征摘要】
1.一种电压控制晶体管的结构，包含电压控制端子、源极端子和漏极端子；其中所述电压控制端子处的电压电位对应所述漏极端子处的电压变化而变化；当所述电压控制晶体管的夹断情况发生时，所述电压控制端子处的电压电位将被控制以维持在预定电压电位；当所述电压控制端子处的电压电位超过所述预定电压电位时，所述电压控制端子处的电压电位将不再随着所述漏极端子处的漏极电压电位变化而变化；其中不连续的极性分布结构形成于所述漏极端子与所述电压控制端子之间；所述电压控制端子连接到与所述漏极端子具有相同掺杂极性的辅助区域；其中所述漏极电压电位控制两个耗尽边界；当所述两个耗尽边界夹断时，所述电压控制端子处的电压电位将被控制以维持在所述预定电压电位。2.根据权利要求1所述的电压控制晶体管的结构，其中只要所述电压控制端子被控制以维持在所述预定电压电位，所述电压控制晶体管就导通。3.根据权利要求1所述的电压控制晶体管的结构，其中互补掺杂区域设置在所述电压控制晶体管的所述漏极端子与所述电压控制端子之间，其中所述互补掺杂区域的掺杂极性与所述电压控制晶体管的所述漏极端子的掺杂极性互补。4.根据权利要求1所述的电压控制晶体管的结构，其中所述不连续极性分布结构由掺杂区域组成，所述掺杂区域的掺杂极性与所述漏极端子的掺杂极性互补，其中所述掺杂区域平行于所述电压控制晶体管的传导通道且有助于所述两个耗尽边界夹断。5.一种电压控制晶体管的结构，利用偏压来改变由互补离子间产生的两个耗尽边界，其中所述电压控制晶体管的漏极端子与电压控制端子之间的寄生电阻器的电阻值依据所述漏极端子处的漏极电压电位所控制的所述两个耗尽边界而改变，其中当所述两个耗尽边界夹断时，所述电压控制端子处的电压电位被维持在所述漏极端子处的所述漏极电压电位。6.根据权利要求5所述的电压控制晶体管的结构，其中当所述电压控制端子处的电压电位被维持在预定电压电位时，所述电压控制晶体管导通。7.一种LDMOS，包含漏极、栅极和源极，其中准连接掺杂区域连接所述漏极和所述栅极，具有不连续极性分布结...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秋志，黄志丰，
申请(专利权)人：崇贸科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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