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本发明提供一种自驱动ＬＤＭＯＳ，其利用位于漏极端子与辅助区域之间的寄生电阻器。所述寄生电阻器形成于准连接深Ｎ型阱中的两个耗尽边界之间。当所述两个耗尽边界夹断时，栅极端子处的栅极电压电位将被维持在所述漏极端子处的漏极电压电位。由于将所述栅极电...
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