半导体存储装置及生产方法制造方法及图纸

一种电荷捕获存储单元的阵列和多条平行字线以及横穿字线的多条平行位线被排列在衬底表面。栅电极被定位在字线和位线之间并且在沿着字线的方向按它们的序列，被交替连接到两条相邻字线中的一条。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及特别适用于NROM存储器的半导体存储装置以及一种相关生产方法。
技术介绍
电可编程可擦除的非易失性存储单元可以实现为电荷捕获存储单元，它包括绝缘材料存储层序列。在该层序列中，存储层被安排在比该存储层具有更大能带间隙的限制层之间。该存储层序列被安排在位于半导体块体内的沟道区和栅电极之间，该栅电极设置在沟道区之上并被提供用来通过所施加的电压控制该沟道。通过沟道区从源极移动到漏极的载荷子被加速并且获得足够的能量以便能够通过下方的限制层并在存储层中被捕获。该被捕获的载荷子改变单元晶体管结构的阈值电压。依靠施加合适的读取电压可以读取不同的编程状态。电荷捕获存储单元的例子是SONOS存储单元，其中每一个限制层是氧化物并且存储层是半导体材料(通常是硅)的氮化物。由B.Eitan等人发表在IEEE Electron Device Letters第21卷、第543到545页(2000)中的名为“NROMa Novel Localized Trapping，2-Bit NonvolatileMemory Cell”的公开中描述了一种具有氧化物、氮化物以及氧化物的存储层序列的电荷捕获存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体存储装置，包括：具有主表面的半导体衬底；在所述主表面上以行和列排列的存储单元的阵列；沿所述行平行且彼此相距一定距离排列的字线；沿着横穿所述字线的所述列平行且彼此相距一定距离排列的位线；每一个所述 存储单元包括位于所述主表面处的源／漏区、布置在所述源／漏区之间的所述主表面的凹进中的栅电极、布置在所述栅电极和所述衬底之间的栅极电介质、以及至少存在于所述栅电极和所述源／漏区之间的存储层；栅互连，其提供用来将所述栅电极的每一个电连接 到所述字线中相邻的两条中的一条；以及通过所述栅互连的所述栅电极和所述字线...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F霍夫曼，M施佩希特，J卢伊肯，
申请(专利权)人：英飞凌科技弗拉斯有限责任两合公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]