半导体器件以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于降低向多个有机ＥＬ元件的供给电流分散性。在有机ＥＬ元件５０与电源线ＶＬ之间具备控制从电源线ＶＬ供给的电流量的元件驱动用ＴＦＴ２０，把ＴＦＴ２０的沟道长度方向配置在与像素的长度方向、或者向控制ＴＦＴ２０的开关用ＴＦＴ１０供给数据信号的数据线ＤＬ的延伸方向、或者用于使ＴＦＴ２０的有源层１６多晶化的激光热处理的扫描方向相平行的方向。进而，也可以在电源线ＶＬ与ＴＦＴ２０之间具备与ＴＦＴ２０相反特性的补偿用ＴＦＴ３０。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及场致发光显示装置，特别涉及构成其中的像素部分的电路的晶体管。
技术介绍
将自发光元件的场致发光(以下称为EL)元件在各像素中用作为发光元件的EL显示装置是自发光型的，与此同时，它具有装置体积薄而且功耗小等优点，作为替代液晶显示装置(LCD)或者CRT等显示装置的显示装置，它正在引起人们的注意，并且正在进行着研究。另外，其中作为高精度的显示装置期待着在各像素中设置单独控制EL元件的薄膜晶体管(TFT)等的开关元件、在各个像素控制EL元件的有源矩阵型EL显示装置。图1示出m行n列有源矩阵型EL显示装置中的每一个像素的电路结构。在EL显示装置中，在基板上多条栅极线GL沿着行方向延伸，多条数据线DL以及电源线VL沿着列方向延伸。另外各像素具备有机EL元件50、开关用TFT(第1TFT)10、EL元件驱动用TFT(第2TFT)20以及辅助电容Cs。第1TFT10使栅极线GL与数据线DL连接，在栅极电极上接受栅极信号(选择信号)而导通。这时供给到数据线DL上的数据信号由连接在第1TFT10与第2TFT20之间的辅助电容Cs保持。在第2TFT20的栅极电极上，供给与经过上述第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于：在根据供给电能进行工作的被驱动元件与用于向上述被驱动元件供给电能的电源线之间，具备用于控制向上述被驱动元件供给的电能的ｎ个（ｎ是２以上的整数）薄膜晶体管，该ｎ个多个薄膜晶体管与对应的上述被驱动元件 通过ｎ－１以下数量的接点进行电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安斋胜矢，古宫直明，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]