浅沟槽隔离结构的制造方法技术

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，首先，提供一基底，此基底上已形成有垫层、多晶硅层与掩模层。接着，将多晶硅层与掩模层图案化以形成开口，而暴露出垫层。然后，进行热氧化工艺，以于开口所暴露出的多晶硅层的侧壁上形成氧化层。接着，去除开口下方的部分基底，以于基底中形成沟槽。然后，形成绝缘层以填满沟槽。接着，移除掩模层与多晶硅层。之后，再移除垫层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，特别是涉及一种。
技术介绍
随着半导体技术的进步，元件的尺寸也不断地缩小，而进入深次微米的领域中，甚至更细微尺寸的范围。因此，元件与元件间的隔离则变得相当重要，以防止相邻的元件发生短路的现象。一般来说，会在元件间加入一层隔离层，较普遍的技术为局部硅氧化法(local oxidation of silicon，LOCOS)。然而，局部硅氧化法仍具有多项缺点，包括由应力的产生所衍生出的相关问题，以及形成于隔离结构周围的鸟嘴区(bird’s beak)等。其中，鸟嘴区的形成对元件积集度的提升最为不利。因此，现今较常使用的方法则为浅沟槽隔离结构(shallow trench isolation，STI)工艺。图1A至图1D绘示为现有一种浅沟槽隔离结构的制造流程剖面示意图。首先，请参照图1A，提供基底100。然后，于基底100上依序形成垫氧化层(pad oxide layer)102、多晶硅层104与掩模层106。接着，再将垫氧化层102、多晶硅层104与掩模层104图案化。接着，请参照图1B，以图案化的垫氧化层102、多晶硅层104与掩模层106为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一垫层、一多晶硅层与一掩模层；图案化该多晶硅层与该掩模层以形成一开口，而暴露出该垫层；进行一热氧化工艺，以于该开口所暴露出的该多晶硅层的侧壁上形成一氧化层；去除该开口下方的部分该基底，而形成一沟槽；形成一绝缘层以填满该沟槽；移除该掩模层与该多晶硅层；以及移除该垫层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖佳平，魏鸿基，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]