【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供一半导体衬底，刻蚀所述衬底形成沟槽；在沟槽中填充绝缘物质并平坦化所述沟槽；在所述衬底表面形成衬垫阻挡层；在所述衬垫阻挡层和沟槽表面形成单层应力薄膜层；对所述衬底 进行热退火；剥除所述应力薄膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明源，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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