【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开一般涉及一种存储器器件，并且尤其是涉及一种硅化器件 的选择和控制栅极的非易失存储器器件及方法。
技术介绍
已经显示具有电介质的非易失存储器单晶体管存储单元能采用热载流子注入(HCI注入)，具有反向阱/源偏压的HCI注入， Fowler-Nordheim (FN)遂穿，或源侧注入(SSI)来以电子充电，所述 电介质具有用为不连续电荷存储元件的嵌入式纳米团。HCI和SSI设计 导致有效率的存储单元和快速地设计，但是SSI设计的设计电流比HCI 设计的小10-100倍。当HCI设计能被在1-晶体管存储单元中实现时， SSI设计需要具有紧密地接近的两个栅极的存储单元，所述存储单元具 有一个控制栅极和一个选择栅极。这种存储单元被公知为分离栅存储 单元(split gate device)。存储单元设计时间是l-10/xsec，但是用于嵌 入在微控制器中的非易失存储器的读访问时间更快，为10-20nsec。由 于非常快的读访问时间，在控制和选择栅极上的RC延迟的控制变得更 重要。这对于可能没有以长距离连接到金属线路的栅极尤其真实。减 小这种RC延迟的一个方式是通过不但...
【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上方形成第一栅电极，其中所述第一栅电极包含硅； 在所述半导体衬底上方并且邻近所述第一栅电极形成第二栅电极，其中所述第二栅电极包含硅； 使所述第一栅电极相对所述第二栅电极凹进； 在所述第一栅电极的第一部分上方形成硅化物电阻特性； 在所述第一栅电极的第二部分上方形成第一硅化物；以及 在所述第二栅电极上方形成第二硅化物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃尔温J普林茨，库米恩昌，罗伯特F施泰梅尔，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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