沟槽隔离集成方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽隔离集成方法，通过将刻出沟槽后的硅片采用氢气进行高温退火，使硅片表面的氧含量降低一个数量级，并减少了氧沉淀产生的可能性，从而降低了位错密度；同时，由于退火硅衬底表面原生缺陷密度大大降低，沟槽内表面形成了一个洁净区，从而更加有效的降低了缺陷密度。对于之后的高温热过程而言，通过氢气退火间隙原子的外扩散，减少了沟槽转角处位错和层错产生的几率，从而最终减少了缺陷密度。而且，该方法可以兼容现有的沟槽隔离集成工艺和设备，简单易行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体的制造技术，尤其涉及一种半导体工艺制作过程中 的。
技术介绍
随着半导体特征尺寸的进一步縮小，沟槽隔离(TI， Trench-Isolation) 工艺被普遍采用。常规的TI集成工艺如图1所示，包括以下步骤首先，TI 刻蚀在硅片上定义出一个沟槽(如图3a)，然后用化学药液清洗去除TI刻蚀 的副产物、颗粒和表面的不希望存在的微量元素，之后将硅片放入高温炉 管，生长一层氧化层，以消除上述刻蚀所带来的硅衬底的损伤(如图3b)， 接着用高密度等离子化学气相沉积(HDPCVD， High Density Plasma Chemical Vapor D印osition)的方法填充氧化物(如图3c)，然后在高温 下致密化，最后用化学机械抛光(CMP， Chemical Mechanical Polish)去 除不需要的氧化物以平坦化(如图3d)。在当下，电路复杂性进一步的提高，越来越多的器件被同时用于一个 电路时，这个常规的TI集成工艺遇到了瓶颈，即漏电，而大的漏电会限制的 电路密度的提高，因此需要一种新的方法来进一步降低漏电。原始硅片的制作过程是产生TI的漏电的主要来源之一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽隔离集成方法，其特征在于，包括：在硅衬底上刻蚀出沟槽，并用化学药液对硅片表面进行清洗后，先对硅片进行高温氢气退火，然后进行化学清洗，再使用高温炉管生长衬垫氧化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俭，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]