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本发明公开了一种沟槽隔离集成方法，通过将刻出沟槽后的硅片采用氢气进行高温退火，使硅片表面的氧含量降低一个数量级，并减少了氧沉淀产生的可能性，从而降低了位错密度；同时，由于退火硅衬底表面原生缺陷密度大大降低，沟槽内表面形成了一个洁净区，从而更...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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