一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法技术

本发明专利技术提供了一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底上。现有技术在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层后还进行高温退火致使热应力加剧，从而使制成的沟槽隔离结构产生边角损伤。本发明专利技术的可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法先在该硅衬底上制作隔离氧化层、保护阻挡层；接着光刻并刻蚀出隔离沟槽；然后在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层；之后通过化学气相沉积工艺填充该隔离沟槽；最后进行化学机械抛光工艺以形成沟槽隔离结构。采用本发明专利技术的可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法可大大减少沟槽隔离结构的边角损伤，大大提高沟槽隔离结构的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及沟槽隔离结构制造工艺，尤其涉及 一 种可减少边角损伤的沟槽 隔离结构制作方法。
技术介绍
在制造半导体器件时，需通过沟槽隔离结构(现通常使用浅沟槽隔离结构(STI))将半导体器件所具有的多个元件分割开来。现有技术中沟槽隔离结构 的制作方法包括以下步骤a、在制作该半导体器件的硅衬底上制作隔离氧化层； b、在隔离氧化层上制作保护阻挡层；c、光刻并刻蚀出隔离沟槽；d、在隔离沟 槽壁上制作隔离氧化层；e、进行高温退火，退火温度为1100度，时间为120 分钟；f、通过高密度等离子体化学气相沉积工艺(HDP CVD)填充该隔离沟槽； g、进行化学机械抛光工艺(CMP)以形成沟槽隔离结构。该沟槽隔离结构1易在边角处产生缺口 10 (为简化图示及说明，图1中并未列 出隔离氧化层和保护阻挡层)，产生缺口 10的原因疑为步骤g中的CMP压力过 大或抛光速度过快，但降低了步骤g中的CMP的压力和抛光速度后，沟槽隔离 结构的边角损伤并没有明显改善，如此产生损伤的原因就只能归结为晶圆内部 的热应力了。因热应力在不同材料交界处和不平坦面上更明显，故影响沟槽隔 离结构产生边角损伤的热应力主要来源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法，该沟槽隔离结构制作在硅衬底上，该制作方法包括以下步骤：（１）在该硅衬底上制作隔离氧化层；（２）在隔离氧化层上制作保护阻挡层；（３）光刻并刻蚀出隔离沟槽；（４）在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层，其特征在于，该制作方法还包括以下步骤：（５）通过化学气相沉积工艺填充该隔离沟槽；（６）进行化学机械抛光工艺以形成沟槽隔离结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴国燕，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]