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一种形成在半导体衬底（１２）上的存储器器件（１０）。选择栅极（３７）和控制栅极（３３）彼此相邻地形成。选择栅极（３７）或控制栅极（３３）中的一个相对另一个被凹进。凹进允许可制造的工艺来在选择栅极和控制栅极上都形成硅化的表面。...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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