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一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供一半导体衬底，刻蚀所述衬底形成沟槽；在沟槽中填充绝缘物质并平坦化所述沟槽；在所述衬底表面形成衬垫阻挡层；在所述衬垫阻挡层和沟槽表面形成单层或多层应力薄膜层；对所述衬底进行热退火；剥除所述应力薄膜层。本...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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