制造半导体器件的方法以及由所述方法获得的半导体器件技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括衬底（１）和半导体主体（２），在该半导体主体中，形成至少一个半导体元件，其中，在该半导体主体（２）中如下形成半导体岛（３）：通过在半导体主体（２）的表面中形成第一空腔（４），所述第一空腔的壁由第一电介层（６）覆盖，其后借助于经由第一空腔（４）底部的钻蚀来除去半导体主体（２）的横向部分，由此在半导体主体（２）中形成空腔（２０），在该空腔上形成半导体岛（３），并且其中，在半导体主体（２）的表面中形成第二空腔（５），所述第二空腔的壁由第二电介质层覆盖，并且覆盖有第二电介质层的壁之一形成半导体岛（３）的侧壁。根据本发明专利技术，选择相同的电介质层（６）用于第一和第二电介质层，选择第二空腔（５）的横向尺寸和电介质层（６）的厚度使得第二空腔（５）基本上完全由电介质层（６）填充，并且选择第一空腔（４）的横向尺寸使得第一空腔（４）的壁和底部设有由电介质层（６）构成的均匀涂层。以这种方式，可以利用最少量的（掩模）步骤来形成与其环境隔离的半导体岛（３）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括衬底和半导体主体，在该半导体主体中，形成至少一个半导体元件，其中，在该半导体主体中如下形成半导体岛通过在半导体主体的表面中形成第一凹槽，该第一凹槽壁由电介层覆盖，其后经由第一凹槽的底部借助于钻蚀(underetch)来除去半导体主体的横向部分，由此在半导体主体中形成空腔，在该空腔上形成半导体岛，并且其中，在半导体主体的表面中形成第二凹槽，所述第二凹槽壁由另一电介质层覆盖，并且将覆盖有另一电介质层的第二凹槽壁之一用于形成半导体岛的侧壁。这种方法还特别适合用于制造例如包括集成功率器件的半导体器件。位于半导体岛内的半导体主体的部分则可以包括例如MOS(金属氧化物半导体)晶体管，而位于半导体岛外部的半导体主体部分可以包括一个或多个双极性晶体管。从在2000年10月11日公开的编号为EP 1043769的欧洲专利说明书中获知一种在开篇段落所提及的方法类型。在所述文献中，给出了一种方法，在该方法中，在包括其上存在外延硅层的硅衬底的硅半导体主体中，通过利用绝缘层覆盖采取形成在半导体主体中的两个平行的所谓沟槽的形式的两个凹槽的壁来形成硅半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件（１０）的方法，该半导体器件包括衬底（１）和半导体主体（２），在该半导体主体中，形成至少一个半导体元件，其中，在该半导体主体（２）中如下形成半导体岛（３）：通过在该半导体主体（１）的表面中形成第一凹槽（４），该第一凹槽的壁由电介层（６）覆盖，其后借助于经由该第一凹槽底部的钻蚀来除去该半导体主体（２）的横向部分，由此在该半导体主体（２）中形成空腔（２０），在该空腔上形成所述半导体岛（３），并且其中，在该半导体主体的表面中形成第二凹槽（５），所述第二凹槽的壁由另一电介质层覆盖，并且将覆盖有所述另一电介质层的所述第二凹槽的壁之一用于形成所述半导体岛（３）的侧壁，其特征在于：对于所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦伯D范诺尔特，埃于普阿克森，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]