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本发明涉及一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括衬底（１）和半导体主体（２），在该半导体主体中，形成至少一个半导体元件，其中，在该半导体主体（２）中如下形成半导体岛（３）：通过在半导体主体（２）的表面中形成第一空腔（４），所述第一空腔的...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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