改善高压MOS器件中浅沟槽隔离形貌的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善高ＭＯＳ器件中ＳＴＩ形貌的方法，首先采用干法刻蚀将场区的ＳｉＮ打开，并去除光刻胶；然后采用氨基药液将场区裸露的硅衬底以及隔离氧化膜腐蚀掉一部分，使得ＳＴＩ上边缘角先足够的圆滑；最后利用干法刻蚀，进行硅衬底的刻蚀，将最终的浅沟槽开出。本发明专利技术可获得圆滑的浅沟隔离槽边缘形貌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高压集成电路中实现浅沟槽隔离(STI)的工艺方法，特别是涉及一种改善高压MOS器件中STI形貌的方法。
技术介绍
现有的STI刻蚀均采用一步刻蚀的方法，如图1所示，即将氮化硅(SiN)，隔离氧化膜以及硅衬底刻蚀在一个工艺步骤中完成。这样的工艺对于低压器件是没有问题的，但对于采用厚的热氧化膜作为MOS器件栅氧的高压器件来讲则会产生问题。以热氧化膜厚985为例，由于长时间热氧化工艺使得STI的上边缘角变得尖锐，同时在边缘处上方的氧化膜厚要明显的比其它地方薄。如图2所示，边缘处上方氧化膜厚约为850，而其它地方膜厚约为1000，这样的结果会使得跟STI边缘有关的电学特性均匀性极差，MOS电容击穿电压降低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种改善高压MOS器件中STI形貌的方法，它可获得圆滑的浅沟隔离槽边缘形貌。为解决上述技术问题，本专利技术改善高压MOS器件中STI形貌的方法是采用如下技术方案实现的，首先采用干法刻蚀将场区的SiN打开，并去除光刻胶；然后采用氨基药液将场区裸露的硅衬底以及隔离氧化膜腐蚀掉一部分，使得STI上边缘角先足够的圆滑；最后利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善高压ＭＯＳ器件中ＳＴＩ形貌的方法，其特征在于：首先采用干法刻蚀将场区的ＳｉＮ打开，并去除光刻胶；然后采用氨基药液将场区裸露的硅衬底以及隔离氧化膜腐蚀掉一部分，使得ＳＴＩ上边缘角先足够的圆滑；最后利用干法刻蚀，进行硅衬底的刻蚀，将最终的浅沟槽开出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：俞波，王飞，郑萍，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]