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本发明公开了一种改善高ＭＯＳ器件中ＳＴＩ形貌的方法，首先采用干法刻蚀将场区的ＳｉＮ打开，并去除光刻胶；然后采用氨基药液将场区裸露的硅衬底以及隔离氧化膜腐蚀掉一部分，使得ＳＴＩ上边缘角先足够的圆滑；最后利用干法刻蚀，进行硅衬底的刻蚀，将最终的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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