半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，包含如下步骤：在硅衬底１０上形成由氧化硅膜１２和氮化硅膜１４构成的硬掩模２０，其中氮化硅膜１４的宽度小于氧化硅膜１２的宽度；使用硬掩模２０作为掩模蚀刻硅衬底１０，以在硅衬底１０中形成用于限定有源区２４的沟槽２６；以及在形成有沟槽２６的硅衬底１０上形成氧化硅膜２８。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及包含器件隔离区形成步骤的。
技术介绍
浅槽隔离(STI)作为一种形成器件隔离区的工艺而为人们所知，其中器件隔离区用以在硅衬底中限定有源区。将参照图9A至图10C说明通过STI形成器件隔离区的传统方法。图9A至10C为示出通过STI形成器件隔离区的传统方法的截面图。首先，通过例如热氧化在硅衬底100上形成作为焊盘(pad)氧化膜的氧化硅膜102。然后，通过例如化学气相沉积(CVD)在氧化硅膜102上形成氮化硅膜104。接着，通过光刻和干蚀刻图案化氮化硅膜104及氧化硅膜102(图9A)。接着，使用氮化硅膜104作为掩模，通过例如活性离子蚀刻(RIE)蚀刻硅衬底100。从而在硅衬底100中形成用于器件隔离的沟槽106(图9B)。接着，通过例如CVD在形成有沟槽106的硅衬底100的整个表面上沉积氧化硅膜108。然后，使用氮化硅膜104作为停止层(stopper)，通过例如化学机械抛光(CMP)抛光氧化硅膜108直至暴露氮化硅膜104的表面，以去除氮化硅膜104上的氧化硅膜108(图9C)。接着，通过使用例如热磷酸的湿蚀刻，去除氮化硅膜104(图10A)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成由第一绝缘膜和第二绝缘膜构成的掩模层，其中该第一绝缘膜的蚀刻特性不同于该半导体衬底的蚀刻特性，该第二绝缘膜的宽度小于该第一绝缘膜的宽度且蚀刻特性不同于该第一绝缘膜的蚀刻特性； 以该掩模层作为掩模蚀刻该半导体衬底，以形成限定有源区的器件隔离沟槽；在形成有器件隔离沟槽的半导体衬底上形成第三绝缘膜；以及去除该第二绝缘膜上的第三绝缘膜，以形成埋入该器件隔离沟槽中的器件隔离膜，该器件隔离膜具有在该有 源区的周边上突出的突出部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：铃木邻太郎，森冈博，寺原政德，
申请(专利权)人：富士通微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]