金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法技术

金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法，是ＰＭＯＳ场效应晶体管中进行应变源漏的硅锗外延生长后，通过对硅锗外延生长的区域进行离子注入预非晶化，使其在形成金属硅化物过程中的反应温度降低，从而与硅及多晶硅的形成金属硅化物的反应温度接近或一致，以便得到均匀的金属硅化物层，保证片电阻的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属硅化物的制作方法，特别是涉及采用选择性离子注入预非晶化的金属硅化物制作方法。
技术介绍
在源漏区域选择性外延生长硅锗使通道区域产生应变已经成为P型通道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)提高载子迁移性的有效方法。但是，已经发现在硅上和外延生长的硅锗上形成金属硅化物的条件不同。如在外延生长的硅锗上形成金属硅化物的温度高于在硅上形成金属硅化物的温度，如在硅上镍金属硅化物形成的第一快速升温回火(RapidThermal Annealing，RTA1)温度为280～300℃，接着湿法去除未反应的金属，然后在500℃第二次快速升温回火(Rapid Thermal Annealing，RTA2)。而对于硅锗，第一快速升温回火(RTA1)温度为300～350℃，湿法去除未反应金属后第二次快速升温回火(RTA2)温度是500℃。RTA1的温度差可以达到20～50℃，这种不同区域形成金属硅化物的条件的不同会导致外延生长的硅锗上和硅上形成的金属硅化物不均匀，在多晶硅及硅上的金属硅化物比外延生长硅锗上形成的金属硅化物厚，因此导致片电阻(sheetresistance)的不均本文档来自技高网...

【技术保护点】
金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法，包括ａ）在多晶硅氧化物层上淀积多晶硅，光刻形成图案；ｂ）去除多晶硅栅极上的硬掩模；ｃ）形成多晶硅间隔层；ｄ）在ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ区域形成保护层；ｅ）光刻胶 覆盖ＮＭＯＳ区域和多晶硅栅极；ｆ）ＮＭＯＳ区域和ＰＭＯＳ多晶硅栅极在电介质和光刻胶的保护下，在ＰＭＯＳ的源漏区域进行硅凹陷刻蚀；ｇ）去除光刻胶；ｈ）在硅凹陷区域进行硅锗外延生长；ｉ）进行选择性离子注入非晶化； ｊ）去除保护层；ｋ）金属硅化物制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宁先捷，保罗，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]