【技术实现步骤摘要】
自对准金属硅化物的形成方法和半导体器件
本专利技术涉及半导体制作领域，尤其涉及一种自对准金属硅化物的形成方法和包含上述自对准金属硅化物的半导体器件。
技术介绍
在半导体制造技术中，金属硅化物由于具有较低的电阻率且和其他材料具有很好的粘合性而被广泛应用于源/漏接触和栅极接触来降低接触电阻。高熔点的金属与硅发生反应生成金属硅化物，通过一步或者多步退火工艺可以形成低电阻率的金属硅化物。随着半导体工艺水平的提高，特别是在90nm及其以下技术节点，为了获得更低的接触电阻，镍及镍的合金成为形成金属硅化物的主要材料。在已经公开的申请号为200780015617.9的中国专利申请中公开了一种自对准金属硅化物的形成方法，该方法选择镍合金作为形成金属硅化物的材料。如作者为中国科学院微电子研究所的尚海平等人的《自对准硅化物工艺研究》(《微电子学》第39卷第6期，2009年12月)中介绍的，现有选择镍合金作为形成金属硅化物的材料的形成自对准硅化物的工艺一般包括一步硅化工艺和两步硅化工艺，其中一步硅化工艺采用一次高温快速退火形成镍硅化物，两步硅化工艺先采用一次低温快速退火工艺，然后...
【技术保护点】
一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括:在硅层的表面形成掺杂区；在所述掺杂区的表面形成第一金属层；进行退火工艺，使得所述第一金属层和与之相接触的掺杂区表面的硅结合形成第一金属硅化物层；去除未反应的第一金属层；在所述第一金属硅化物层上形成与所述第一金属层材质不同的第二金属层；进行退火工艺，使得所述第一金属硅化物层的表层和第二金属层结合形成第二金属硅化物层；去除未反应的第二金属层。
【技术特征摘要】
1.一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括: 在娃层的表面形成掺杂区； 在所述掺杂区的表面形成第一金属层； 进行退火工艺，使得所述第一金属层和与之相接触的掺杂区表面的硅结合形成第一金属硅化物层； 去除未反应的第一金属层； 在所述第一金属娃化物层上形成与所述第一金属层材质不同的第二金属层； 进行退火工艺，使得所述第一金属硅化物层的表层和第二金属层结合形成第二金属硅化物层； 去除未反应的第二金属层。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一金属层或者第二金属层中具有的金属元素包括Er、Yb、Pt、T1、Co或Ni中的一种。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第一金属硅化物层时的退火工艺为低温快速退火工艺，设置退火温度的范围为180°C~300°C，进行时间为IOs~120s。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在去除未反应的第一金属层之后，在所述第一金属硅化物层上形成与所述第一金属层材质不同的第二金属层之前，还包括一次高温快速退火工艺，设置退火温度的范围为380°C~550°C，进行时间为IOs~120s。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成第二金属硅化物层的退火工艺为恒温退火工艺、尖峰退火工艺、闪光退火工艺或激光退火工艺中的一种。6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述形成第二金属硅化物层的退火工艺为恒温退火工艺时，设置退火温度的范围为200°C~600°C，进行时间为5s~120s。7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述形成第二金属硅化物层的退火工艺为尖峰退火工艺时，设置退火温度的尖峰温度范围为300°C~600°C。8.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：禹国宾，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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