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一种自对准金属硅化物的形成方法和半导体器件，所述自对准金属硅化物的形成方法包括：在硅层上形成掺杂区；在掺杂区的表面形成第一金属层；进行退火工艺，使得所述第一金属层和与之相接触的掺杂区源漏掺杂区表面的硅结合形成第一金属硅化物层；去除未反应的第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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