利用连续管状反应器制备氯硅烷气体的方法技术

本发明专利技术涉及一种以有效的方式由四氯硅烷制备三氯硅烷的设备。该设备包括：入口，分散在液体四氯硅烷中的包含金属硅粉末的反应原料通过该入口进入；孔，气体反应原料通过该孔供给；出口，包含三氯硅烷的反应产物通过该出口排出；管状反应器，在该管状反应器中，通过所述入口进入的反应原料在流动的过程中彼此反应；以及流体流动阻碍装置，用于在流动的过程中引起流体碰撞。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制备氯硅烷气体的方法，更具体地涉及一种以更有效的方式利用四氯硅烷制备三氯硅烷的方法。
技术介绍
三氯硅烷(SiHCl3,TCS)是用作高纯多晶硅(也称为多晶硅)的原料的化合物。三氯硅烷与氢在高达至少1000℃的温度下反应以沉积多晶硅。沉积多晶硅的反应通常表示如下：4SiHCl3→Si+3SiCl4+2H2(1)SiHCl3+H2→Si+3HCl(2)在用于沉积多晶硅的反应中使用的三氯硅烷通常通过使金属硅与氯化氢反应来制备。例如，公开了使用流化床反应器制备三氯硅烷的方法，其中，金属硅在含有铁和铝的催化剂存在下与氯化氢反应，如反应3所示：Si+3HCl→SiHCl3+H2(3)作为反应的结果，获得了气体产物。此后，通过冷却将气体产物冷凝至-10℃以下。但是，该冷凝物包括作为副产物的其它氯硅烷以及三氯硅烷。通过蒸馏从冷凝物中分离并收集三氯硅烷，然后将其用作制备多晶硅的原料。四氯硅烷(SiCl4，STC)也通过蒸馏分离。四氯硅烷通常通过反应4转化为三氯硅烷(TCS)：3SiCl4+2H2+Si→4SiHCl3(4)所得三氯硅烷再用于制备多晶硅。提出了另一种制备三氯硅烷的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备三氯硅烷的设备，包括：入口，分散在液体四氯硅烷中的包含金属硅粉末的反应原料通过该入口进入；孔，气体反应原料通过该孔供给；出口，包含三氯硅烷的反应产物通过该出口排出；管状反应器，在该管状反应器中，通过所述入口进入的反应原料在流动的过程中彼此反应；以及流体流动阻碍装置，用于在流动的过程中引起流体碰撞。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.13 KR 10-2014-00570931.一种用于制备三氯硅烷的设备，包括：入口，分散在液体四氯硅烷中的包含金属硅粉末的反应原料通过该入口进入；孔，气体反应原料通过该孔供给；出口，包含三氯硅烷的反应产物通过该出口排出；管状反应器，在该管状反应器中，通过所述入口进入的反应原料在流动的过程中彼此反应；以及流体流动阻碍装置，用于在流动的过程中引起流体碰撞。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述流体流动阻碍装置是从所述管状反应器的内壁向反应空间突出的结构。3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述流体流动阻碍装置通过使所述管状反应器的流动路径弯曲形成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金庾锡，金正奎，柳振炯，李正雨，张银洙，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR