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金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法，是ＰＭＯＳ场效应晶体管中进行应变源漏的硅锗外延生长后，通过对硅锗外延生长的区域进行离子注入预非晶化，使其在形成金属硅化物过程中的反应温度降低，从而与硅及多晶硅的形成金属硅化物的反应温度接近或一致...
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