【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及集成电路的制造，更具体而言，涉及性能改善的具有至少一个有源图案的多栅极晶体管的制造，所述有源图案形成有均匀的特征尺寸。
技术介绍
已经开发了具有双栅极结构或三栅极结构的多栅极晶体管以用于克服栅极长度减小所致的性能劣化(Kunihiro Suzuki et al.IEEE 1993‘ScalingTheory for Double-Gate SOI MOSFETs’；Robert Chau，SSDM 2002，‘AdvancedDepleted-Substrate TransistorsSingle-Gate，Duoble-Gate and Tri-Gate’；Z.Krivokapic，SSDM 2003，‘High Performance 45nm CMOS Technology with20nm Multi-Gate Devices’；Jeong-Hwan Yang，IEDM 2003，‘Fully Working6T-SRAM Cell with 45nm Gate Length Triple Gate Length Triple Ga...
【技术保护点】
一种多栅极晶体管的制造方法，包括：形成至少一个有源图案；从所述有源图案的暴露部分生长至少一个外延结构；以及从所述有源图案的至少两个表面形成沟道区。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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