具有集成EMI和RFI屏蔽的包覆成型半导体封装制造技术

根据一个示例性实施例，一种包覆成型封装，包括位于衬底上的半导体管芯。所述包覆成型封装还包括位于所述半导体管芯和所述衬底上方的包覆模体，其中所述包覆模体具有顶面。所述包覆成型封装还包括位于所述包覆模体的所述顶面上的导电层，其中所述导电层包括导电聚合体，并且其中所述导电层形成ＥＭＩ和ＲＦＩ屏蔽。根据该示例性实施例，所述包覆成型封装还可包括位于所述衬底上方的柱，其中所述柱连接到所述导电层。所述包覆成型封装还可包括位于所述包覆模体中的孔，其中所述孔位于所述柱上方，其中用所述导电聚合体填充所述孔，以及其中所述导电聚合体与所述柱接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常属于半导体器件封装领域。更具体地，本专利技术属于半导体器件封装的屏蔽领域。
技术介绍
便携式电子器件，如蜂窝式电话，典型地使用多元件半导体模块以在单个模制封装中提供高度的电路集成。该多元件半导体模块可包括，例如，安装在电路板上的半导体管芯以及许多电子元件。在模制工艺中可以封装包括半导体管芯和电子元件的电路板，以形成包覆成型(overmolded)半导体封装。为确保需要在各种环境下正常工作的器件如蜂窝式电话的性能的可接受水平，包覆成型半导体封装必须从电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)被屏蔽。然而，半导体器件制造商面临为包覆成型半导体封装提供有效的EMI和RFI屏蔽而不增大封装的尺寸且基本上不增加封装成本的挑战。在一种方法中，通过在包覆成型半导体封装上方形成离散的金属屏蔽物，提供EMI和RFI屏蔽。典型地该金属屏蔽物包括围绕包覆成型半导体封装形成的壁，以及附接到壁并位于包覆成型封装上方足够距离以避免干扰封装的罩。结果，金属屏蔽物不期望地增加了最终的包覆成型封装的厚度。而且，金属屏蔽物的形成需要额外工艺步骤和附加的材料，这显著增加封装成本。在另一方法中，在包覆成型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包覆成型封装，包括：位于衬底上的半导体管芯；位于所述半导体管芯和所述衬底上方的包覆模体，所述包覆模体具有顶面；位于所述包覆模体的所述顶面上的导电层，所述导电层包括导电聚合体；其中所述导电层形成ＥＭＩ和ＲＦ Ｉ屏蔽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：RW华伦，S贾亚拉曼，LD波特鲍姆，
申请(专利权)人：斯盖沃克斯瑟路申斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]