芯片级电子封装的穿孔结构制造技术

一种芯片级电子封装的穿孔结构，其特征在于包括：一芯片，其设有至少一个射频路径，其中该射频路径穿设于该芯片中；以及一穿孔结构，其周设于该射频路径外侧；其中该穿孔结构可为数个填入金属材料的穿孔、或数个内表面镀上金属的穿孔、又或上述两种穿孔所组成。为此，该穿孔结构为一电性参考面，用以防止于该射频路径中传输的信号产生衰减或干扰的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种芯片级电子封装的穿孔结构，尤指一种利用穿孔结构有效 减少讯号衰减的封装结构。
技术介绍
由于半导体制程的进展快速，目前已经开发出0.18 ]Lim甚至是90nm的射频(RF)制程，使得射频集成电路(RFIC)的设计可以满足更高频率、 更高整合度的需求。未来射频集成电路一方面将朝更高频宽及频率发展，如 3 10 GHz或更高频率(60 GHz)的宽频系统；另一方面则将现有的系统进行更 高度的整合，如WLAN系统收发机(transceiver)与功率放大器(PA)及收发切换 开关(T/Rswitch)等的整合、单一系统的多频带整合，乃至于不同系统的整合。然而，随着射频通讯技术的发展，意谓着无线通讯组件于电路设计上必须 更严谨及效能最佳化。无线通讯产品大都要求重量轻、体积小、高品质、低价 位、低消耗功率及高可靠度等特点，这些特点促进了射频/微波集成电路的技 术开发与市场成长。高频组件的大晶片级电路设计，对于射频/微波集成电路 应用极为重要，优良的设计可以作为电路设计时设计余裕(DesignMargin)参考 进而提高良率并降低成本。
技术实现思路
本专利技术的主要目的，在于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片级电子封装的穿孔结构，其特征在于，包括：　一芯片，其设有至少一个射频路径，其中该射频路径穿设于该芯片中；以及　一穿孔结构，其周设于该射频路径外侧；　为此，该穿孔结构为一电性参考面，用以防止于该射频路径中传输的信号产生衰减或干扰的现象。

【技术特征摘要】
1.一种芯片级电子封装的穿孔结构，其特征在于，包括一芯片，其设有至少一个射频路径，其中该射频路径穿设于该芯片中；以及一穿孔结构，其周设于该射频路径外侧；为此，该穿孔结构为一电性参考面，用以防止于该射频路径中传输的信号产生衰减或干扰的现象。2 、根据权利要求1所述的芯片级电子封装的穿孔结构，其特征在于，该 穿孔结构为一第一穿孔结构、一第二穿孔结构或该第一、第二穿孔结构的组合。3、 根据权利要求2所述的芯片级电子封装的穿孔结构，其特征在于，该 第一穿孔结构为数个填入金属材料的穿孔。4、 根据权利要求2所述的芯片级电子封装的穿孔结构，其特征在于，该 第二穿孔结构为数个中空的穿孔，且该穿孔的内侧面形成一金属层。5、根据权利要求4所述的芯片级电子封装的穿孔结构，其特征在于，该 等...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄忠谔，黄建渝，
申请(专利权)人：海华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]