【技术实现步骤摘要】
本专利技术申请是申请号为CN200410086184.4(申请日为1994年12月2日)的专利申请的分案申请。本专利技术涉及利用有结晶性的半导体制作的半导体器件及其制造方法。使用薄膜半导体形成的薄膜晶体管(下称TFT等)是已公知的,这种TFT是在衬底上形成薄膜半导体、使用该薄膜半导体构成的。这种TFT被用于各种集成电路,特别是电光学装置、尤其作为设有有源矩阵型液晶显示装置的各像素的开关元件、作为在外围电路部分形成的驱动元件引起了人们的普遍关注。用于TFT的薄膜半导体,虽然使用无定形硅膜简便,但是其电特性低。为了提高TFT的特性,可以使用具有结晶性的硅薄膜。具有结晶性的硅膜,被称作多晶硅、聚硅、微晶硅等。为了制得这种具有结晶性的硅膜,可以首先形成无定形硅膜,然后通过加热使之结晶化而得到。但是,通过加热进行结晶化,加热温度需600℃以上,加热时间为10小时以上,这对于用玻璃作为衬底是有困难的。例如,在有源型液晶显示装置中使用的康宁7059玻璃的变形温度是593℃,在大面积的衬底情况,对于加热600℃以上是有问题的。根据本专利技术人的研究,在无定形硅膜表面上沉积微 ...
【技术保护点】
半导体装置的制造方法,包括:在衬底上形成半导体层的工序;在上述半导体层上形成栅极绝缘膜的工序;在上述栅极绝缘膜上形成栅电极的工序;在半导体层和栅电极上形成第一绝缘膜的工序;在第一绝缘膜上形成包含有机材 料的第二绝缘膜的工序;在第二绝缘膜上形成像素电极的工序;和在第二绝缘膜和部分像素电极上形成电极,该电极通过在栅极绝缘膜,第一绝缘膜和第二绝缘膜中开的接触孔直接与半导体层相连。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:大谷久,安达广树,宫永昭治,高山彻,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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