包括作为存储节点的电阻变化层的存储器件的制造方法技术

提供了一种制造包括电阻变化层作为存储节点的存储器件的方法。所述方法包括：在底层上依次堆叠导电材料层、二极管层和数据存储层；在所述数据存储层上形成第一材料层；在所述第一材料层中形成暴露所述数据存储层的第一孔；在所述第一孔的侧壁上用第二材料层形成第一隔片；用第三材料层填充所述第一孔并覆盖所述第一隔片；除去所述第一材料层；在所述第一隔片的侧壁上用第四材料层形成第二隔片；除去所述第三材料层；以及使用所述第一和第二隔片作为掩模在第一堆叠结构中形成暴露底层的第二孔。这些操作结果形成了位线，然后形成字线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，尤其涉及一种制造包括作为存储节点的电阻变化层的存储器件的方法。
技术介绍
当前消费者对高度集成的半导体器件的需求已经导致存储器件的单位单元的尺寸在更大程度上按比例减小了。存储器件单位单元尺寸的按比例缩小与存储器件的制造过程密切相关。因此，发展存储器件集成尺度的一种方法就是改进存储器件的制造工艺。而且，在构成存储器件单位单元的多种器件元件中，按比例缩小向其中实际写入位数据的器件元件的尺寸，例如对于动态随机存取存储器件(DRAM)和静态随机存取存储器件(SRAM)缩小电容器的尺寸，对于磁随机存取存储器件(MRAM)缩小磁隧道结(MTJ)单元的尺寸，是提高存储器件的集成度的一种方法。在企图提高集成度的过程中，最近引入了一种采用电阻变化层作为存储节点的存储器件。在下文中将把这种类型的存储器件称为常规存储器件。图1为示出常规存储器件的单元阵列的图示。在图1中，附图标记2、4和6分别表示字线、电阻变化单元和位线。此外，附图标记C表示包括字线2、位线6和一个电阻变化单元4的单位存储单元。如图1所示，每条字线2都和每条位线6垂直交叉，而且在这些交叉点处，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造存储器件的方法，其中数据存储在字线和位线彼此交叉的区域中，所述方法包括：（ａ）在底层上依次堆叠导电材料层、二极管层和数据存储层；（ｂ）在所述数据存储层上形成第一材料层；（ｃ）在所述第一材料层中以条纹形状形成第 一孔，所述孔暴露所述数据存储层；（ｄ）在所述第一孔的侧壁上用第二材料层形成第一隔片；（ｅ）用第三材料层填充所述第一孔，覆盖所述第一隔片；（ｆ）除去所述第一材料层；（ｇ）在除去所述第一材料层而暴露的所述第一隔片 的侧壁上用第四材料层形成第二隔片；（ｈ）除去所述第三材料层；以及...

【技术特征摘要】
KR 2004-11-10 91492/041.一种制造存储器件的方法，其中数据存储在字线和位线彼此交叉的区域中，所述方法包括(a)在底层上依次堆叠导电材料层、二极管层和数据存储层；(b)在所述数据存储层上形成第一材料层；(c)在所述第一材料层中以条纹形状形成第一孔，所述孔暴露所述数据存储层；(d)在所述第一孔的侧壁上用第二材料层形成第一隔片；(e)用第三材料层填充所述第一孔，覆盖所述第一隔片；(f)除去所述第一材料层；(g)在除去所述第一材料层而暴露的所述第一隔片的侧壁上用第四材料层形成第二隔片；(h)除去所述第三材料层；以及(i)使用所述第一和第二隔片作为掩模在包括所述导电层、所述二极管层和所述数据存储层的第一堆叠结构中形成条纹形状的第二孔，所述第二孔暴露所述底层。2.如权利要求1所述的方法，其中所述底层通过依次堆叠衬底和缓冲层形成。3.如权利要求2所述的方法，其中形成所述导电材料层包括在所述缓冲层上形成半导体层；以及向所述半导体层上掺入预定的导电杂质。4.如权利要求1所述的方法，其中填充第一孔进一步包括在所述第一材料层上形成填充所述第一孔的所述第三材料层；以及平面化所述第三材料层直到暴露出所述第一材料层。5.如权利要求1所述的方法，其中形成第二隔片进一步包括在除去所述第一材料层而暴露的所述数据存储层上形成覆盖所述第一隔片和所述第三材料层的所述第四材料层；以及在所述第四材料层的上表面上进行各向异性蚀刻工艺，直到暴露出所述数据存储层和所述第三材料层为止。6.如权利要求1所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴允童，金元柱，田尚勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]